[发明专利]一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210144436.9 | 申请日： | 2012-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103378174B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329;H01L29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，通过电荷补偿结构，改变漂移区的电场强度分布，形成平坦的电场强度分布曲线；通过沟槽结构，降低在肖特基结表面的峰值电场；从而可以提高漂移区的杂质的掺杂浓度，极大的降低器件的正向导通电阻，改善器件的正向导通特性。本发明还提供一种具有电荷补偿肖特基半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电荷 补偿 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；电荷补偿结构，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料和第二导电半导体材料交替排列构成；多个沟槽，位于第一导电半导体材料和第二导电半导体材料交汇处上表面，沟槽内壁设置有绝缘材料，沟槽内填充介质材料多晶硅；第二类型肖特基势垒结，位于第二导电半导体材料表面；肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料表面；上表面金属层，位于沟槽内介质材料、沟槽之间第一导电半导体材料和第二导电半导体材料表面。
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