[发明专利]一种电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210144437.3 | 申请日： | 2012-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103378131A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电荷补偿肖特基半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，可以提高器件的反向击穿电压，或者改善器件的正向导通特性；本发明还提供了一种超级结肖特基半导体装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 补偿 肖特基 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料；多个沟槽，位于漂移层第一导电半导体材料表面，沟槽内下部填充第二导电半导体材料，沟槽内上部侧壁设置有绝缘材料，沟槽内上部填充介质材料，并且沟槽内上部填充介质材料与沟槽内下部填充第二导电半导体材料相连；肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朱江，未经朱江许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210144437.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种加热保温箱
- 下一篇：一种半开式的笔记本包装盒
- 同类专利
- 专利分类
