[发明专利]基于静电键合的玻璃/硅/玻璃三层结构材料的制备方法有效
| 申请号： | 201210145546.7 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102642808A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吕文龙;占瞻;左文佳;杜晓辉;苏源哲;王凌云;孙道恒 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 基于静电键合的玻璃/硅/玻璃三层结构材料的制备方法，涉及一种用于制作微纳器件的三层结构材料。采用阳极键合将硅片与第1玻璃片键合得硅/第1玻璃组合片；采用磁控溅射法在硅/第1玻璃组合片的双面溅射金属得覆盖硅/第1玻璃组合片外表面金属结构；采用机械磨削法去除覆盖硅/第1玻璃组合片外表面金属结构靠近硅片一侧表面的金属，采用化学机械抛光法抛光裸露的硅片表面，加工后硅/第1玻璃组合片的第1玻璃片表面及侧壁覆盖有金属；将硅/第1玻璃组合片以及第2玻璃片置于键合机中，硅/第1玻璃组合片覆盖金属的第1玻璃片一侧连接键合机正极，正电压通过金属电极连接至硅片，第2玻璃片连接键合机负极，采用阳极键合加工得产物。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 静电 玻璃 三层 结构 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于静电键合的玻璃/硅/玻璃三层结构材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）采用阳极键合技术将硅片与第1玻璃片键合，得到硅/第1玻璃组合片；2）采用磁控溅射法，在步骤1）所得的硅/第1玻璃组合片的双面溅射金属，得到覆盖硅/第1玻璃组合片外表面金属结构；3）采用机械磨削法去除步骤2）所得的覆盖硅/第1玻璃组合片外表面金属结构靠近硅片一侧表面的金属，并采用化学机械抛光法抛光裸露的硅片表面，加工后硅/第1玻璃组合片的第1玻璃片表面以及侧壁覆盖有金属；4）将硅/第1玻璃组合片以及第2玻璃片置于键合机中，硅/第1玻璃组合片覆盖金属的第1玻璃片一侧连接键合机正极，正电压通过金属电极连接至硅片，第2玻璃片连接键合机负极，采用常规阳极键合条件，加工得到基于静电键合的玻璃/硅/玻璃三层结构材料。
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