[发明专利]一种光谱可调的ZnO/GaN基白光发光器件结构无效
| 申请号： | 201210145555.6 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102709418A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 招瑜;单梓华;廖世权;邓海生;张彬彬 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/26 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510006 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光谱可调的ZnO/GaN基白光发光器件结构，包括衬底或基板及沉积于衬底或基板上的半导体材料层，该半导体材料层自下而上包括第一GaN材料层、InGaN/GaN单量子阱或多量子阱、第二GaN材料层和ZnO层，ZnO层的上表面设置有第三电极，部分半导体材料层被腐蚀或刻蚀并露出部分第二GaN材料层的上表面，露出的部分设置有第二电极，部分半导体外延叠层被刻蚀并露出部分第一GaN材料层，露出的部分设置有第一电极；通过调节加载在该半导体发光器件的第一电极、第二电极和第三电极上的电压和电流参数，可以调节该发光器件的发光光谱，优化和提高白光发光器件的白光质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光谱 可调 zno gan 白光 发光 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种光谱可调的ZnO/GaN基白光发光器件结构，其特征在于：包括衬底或基板（1）及沉积于衬底或基板（1）上的半导体材料层，该半导体材料层自下而上包括第一GaN材料层（2）、InGaN/GaN单量子阱或多量子阱（3）、第二GaN材料层（4）和ZnO层（5），ZnO层的上表面设置有第三电极（6），部分半导体材料层被腐蚀或刻蚀并露出部分第二GaN材料层的上表面，其露出的部分设置有第二电极（7），部分半导体外延叠层被刻蚀并露出部分第一GaN材料层，其露出的部分设置有第一电极（8）；通过调节加载在该半导体发光器件的第一电极（8）、第二电极（7）和第三电极（6）上的电压和电流参数，可以调节该发光器件的发光光谱。
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