[发明专利]一种提高硅太阳能电池光电转换效率的方法和装置无效
申请号: | 201210145947.2 | 申请日: | 2012-05-13 |
公开(公告)号: | CN102646725A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 贾艳敏;方聪;高培杰;何佳君;武峥 | 申请(专利权)人: | 浙江师范大学 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02 |
代理公司: | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人: | 朱枫 |
地址: | 321004 浙江省金华*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高硅太阳能电池光电转换效率的方法,其将太阳能电池片以多点固定的方式紧密固定在一磁致伸缩层上,然后在该磁致伸缩层的两端形成静磁场。还公开了一种提高硅太阳能电池光电转换效率的装置,包括太阳能电池片;它还包括一磁致伸缩层,磁致伸缩层和电池片的非受光面通过胶粘连成复合层状结构;磁致伸缩层的两端分别设有磁场N极和磁场S极。本发明的主要有益效果是:可提高硅太阳能电池的光电转换效率;可实现对太阳能电池电容、电阻的非触控式调节;结构简单,制造方便,成本低,可广泛用于晶体硅太阳能电池领域以提高其光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 太阳能电池 光电 转换 效率 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种提高硅太阳能电池光电转换效率的方法,其特征在于:将太阳能电池片以多点固定的方式紧密固定在一磁致伸缩层上,然后在该磁致伸缩层的两端形成静磁场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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