[发明专利]快速热退火方法有效
| 申请号： | 201210147217.6 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103390553A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 苏小鹏;谭秀文 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种快速热退火方法，包括如下步骤：获取采用质量控制参数热退火所得到的晶圆的第一均匀性分布数据；获取产品实际热退火所得到的晶圆的第二均匀性分布数据；比较所述第一均匀性分布数据和第二均匀性分布数据，得到产生差异的晶圆区域；将所述产生差异的晶圆区域对应的灯管进行功率调整。上述快速热退火方法，对不同区域的灯管采用不同的功率进行定点调整，能够提高产品的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种快速热退火方法，其特征在于，包括如下步骤：获取采用质量控制参数热退火所得到的晶圆的第一均匀性分布数据；获取产品实际热退火所得到的晶圆的第二均匀性分布数据；比较所述第一均匀性分布数据和第二均匀性分布数据，得到产生差异的晶圆区域；将所述产生差异的晶圆区域对应的灯管进行功率调整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
