[发明专利]制造半导体器件和晶体管的方法有效
| 申请号： | 201210147693.8 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103187304A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王裕平 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件和晶体管的制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括提供包括多个鳍的工件，以及在多个鳍的顶面上方形成半导体材料。在半导体材料上方形成蚀刻停止层，以及在蚀刻停止层上方设置绝缘材料。从多个鳍的上方去除该绝缘材料和蚀刻停止层的部分。对形成半导体材料或形成蚀刻停止层进行控制，从而使得去除部分蚀刻停止层时不会去除位于多个鳍上方的半导体材料的最宽部分之间的蚀刻停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供包括多个鳍的工件；在所述多个鳍的顶面上方形成半导体材料；在所述半导体材料上方形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方设置绝缘材料；以及从所述多个鳍的上方去除所述蚀刻停止层的一部分和所述绝缘材料，其中，对形成所述半导体材料或形成所述蚀刻停止层进行控制，从而使得去除所述蚀刻停止层的所述一部分时不会去除位于所述多个鳍上方的所述半导体材料的最宽部分之间的蚀刻停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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