[发明专利]一种无源超结半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201210148327.4 | 申请日： | 2012-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN103383954A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无源超结半导体装置，通过条状的无源第二导电半导体材料与第一导电半导体材料形成形成超结结构，提高器件的反向击穿电压，或者改善器件的正向导通特性；本发明还提供了一种无源超结半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无源 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无源超结半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；无源第二导电半导体材料区，为条状第二导电半导体材料，位于漂移层中，垂直于衬底层，与第一导电半导体材料交替排列构成，并且无源第二导电半导体材料区上表面临靠绝缘材料或者第一导电半导体材料；有源第二导电半导体材料区，位于漂移层上表面，为第二导电半导体材料，并且与无源第二导电半导体材料区不相连。
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