[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201210148566.X | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102779795A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 丰田庆 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 冯雅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具备基板、安装于所述基板上的半导体元件、被覆所述半导体元件的至少一部分的保护膜、将所述半导体元件及所述保护膜密封的密封树脂，在所述保护膜与所述密封树脂之间至少存在1处所述保护膜和所述密封树脂未密合的空隙，藉此，能够提供应力缓和优良的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
半导体装置，其特征在于，具备基板、安装于所述基板上的半导体元件、被覆所述半导体元件的至少一部分的保护膜、将所述半导体元件及所述保护膜密封的密封树脂；在所述保护膜与所述密封树脂之间至少存在1处所述保护膜和所述密封树脂未密合的空隙。
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