[发明专利]低栅极电荷沟槽功率MOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种低栅极电荷沟槽功率MOS器件，其是在硅衬底上水平排布两沟槽，屏蔽栅导电多晶硅淀积在沟槽内底部，栅极导电多晶硅位于沟槽内屏蔽栅导电多晶硅的上方，屏蔽栅导电多晶硅从位于栅极导电多晶硅中的深孔引出，将现有器件的垂直控制栅、屏蔽栅极结构改为水平分布的控制栅、屏蔽栅极结构，硅衬底上还有P阱及作为源区的重掺杂的N型区，所述的两沟槽穿越源区、P阱直达硅衬底，一接触孔位于两沟槽之间将位于P阱中的重掺杂P型区引出；本发明还公开了所述低栅极电荷沟槽功率MOS的制造方法，其减少使用一层掩膜版的基础上实现了与传统低栅极电荷沟槽功率MOS相同的功能。

主权项

一种低栅极电荷沟槽功率MOS器件，其特征在于：在硅衬底上水平排布两沟槽，沟槽内壁及底部均覆盖一层氧化层，屏蔽栅导电多晶硅淀积在沟槽内底部，栅极导电多晶硅位于沟槽内屏蔽栅导电多晶硅之上，且栅极导电多晶硅水平方向上分隔成左右两个部分，左右两个栅极导电多晶硅之间形成一狭缝空间，栅极导电多晶硅下方的屏蔽栅导电多晶硅即通过所述狭缝空间引出到器件表面，屏蔽栅导电多晶硅与两个栅极导电多晶硅之间均具有层间介质层隔离开，互不接触，所述的两个沟槽内的结构完全相同；硅衬底上层还具有离子注入形成的P阱，作为源区的重掺杂N型区淀积在P阱表面与之接触，所述的两沟槽从上至下依次穿越源区层及P阱层直达下方硅衬底中；一重掺杂的P型区，位于两沟槽之间的P阱区中，且重掺杂的P型区上表面与其上方的作为源区的重掺杂N型区接触；一接触孔，位于两沟槽之间的重掺杂N型区中，将位于其正下方的所述与源区相接触的重掺杂P型区引出。