[发明专利]太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜及其制备方法

摘要

薄膜太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜及其制备方法。该方法利用对沉积薄膜工艺过程的有效调控，实现具有宽光谱陷光的ZnO薄膜的制备。首先在衬底上沉积ZnO薄膜，经过湿法腐蚀工艺处理后得到具有大“弹坑状”的陷光绒面层；随后在陷光绒面层上采用MOCVD沉积技术再沉积一层兼有小“类金字塔”绒度的ZnO薄膜；最后形成具有宽光谱陷光的透明导电氧化锌薄膜材料。本发明所述氧化锌为掺杂半导体，如ZnO：Al、ZnO：Ga、ZnO：B、ZnO：Mo、ZnO：W，n型半导体材料，可应用于非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜的单结及多结太阳电池。

主权项

一种薄膜太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜，其特征在于该导电薄膜依次包括：衬底层，衬底层上对入射的长波长光起陷光作用的具有大“弹坑状”的陷光绒面层简称长波长陷光层，以及陷光绒面层上采用MOCVD技术沉积的对入射的短波长光起陷光作用的具有小“类金字塔”绒度的陷光层简称短波长陷光层；长波长陷光层：是在衬底层上一次沉积和一次湿法腐蚀处理后得到的具有大“弹坑状”的陷光绒面结构的ZnO薄膜，所述的大“弹坑状”为微米级尺寸；短波长陷光层：是在具有大“弹坑状”的陷光绒面结构的ZnO薄膜上采用MOCVD沉积技术沉积的一层兼有小“类金字塔”绒度的ZnO薄膜，所述的小“类金字塔”为纳米级尺寸。