[发明专利]防止电路系统过压的电路有效
| 申请号： | 201210149511.0 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102832608A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·C·多布金;戴维·H·宋 | 申请（专利权）人： | 凌力尔特有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H9/02;H02H3/20 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 美国加州米*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种过压保护方法和电路，该方法和电路不仅保护负载还保护它的内部电路免受过压。所述过压保护电路包括正供电输入节点、输出节点和负供电节点。所述过压保护电路还包括构造成导通MOSFET并保持其在低电阻状态的第一功能电路。第二功能电路构造成检测过压和控制MOSFET的栅极以调节所述输出节点处的电压。第三功能电路构造成提供不损坏过压保护电路的启动和/或构造成调节工作电压以使在过压保护电路上不出现过压。外部部件包括MOSFET，所述MOSFET具有连接到过压保护电路的电荷泵的输出的栅极。过压保护电路基本上随正供电输入节点电压浮动。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 电路 系统 | ||
【主权项】：
一种过压保护电路，其特征在于，包括：正供电节点；输出节点；负供电节点；第一功能电路，所述第一功能电路包括电荷泵并且构造成导通MOSFET并将所述MOSFET保持在低电阻状态；第二功能电路，所述第二功能电路构造成检测过压并且控制所述MOSFET的栅极以调节在所述输出节点处的电压；和第三功能电路，所述第三功能电路构造成限制施加的跨越所述过压保护电路的过压的大小；其中所述正供电节点和所述负供电节点构造成通过外部部件分别连接到正电源和地，从而所述过压保护电路工作为随施加到所述正供电节点的电压而浮动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凌力尔特有限公司，未经凌力尔特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210149511.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
