[发明专利]快闪存储器的制作方法

摘要

本发明提供一种快闪存储器的制作方法，首先提供一第一导电类型半导体衬底，并在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离，在所述半导体衬底上形成包括控制栅、阻挡氧化层、浮栅和隧穿氧化层的墙体状栅结构；而后，在注入离子形成自对准源区之前，对已旋涂的光刻胶进行UV烘烤，降低光刻胶的应力；去胶后再对所述半导体衬底注入离子形成源漏区并制作电连接。本发明通过对光刻胶增加了UV烘烤的步骤，有效降低多层栅结构被其之间的光刻胶向外推的应力，在成本没有明显增加的情况下，有效避免了去胶时栅结构中控制栅倒塌的现象，提高了产品的制备良率，进而提高了收益。

主权项

一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：1）提供一第一导电类型半导体衬底，先在所述半导体衬底中制作浅沟槽隔离，而后在所述半导体衬底上依次制作隧穿氧化层、浮栅材料层、阻挡氧化层和控制栅材料层，形成一多层半导体结构；2）刻蚀所述多层半导体结构，直至暴露出所述隧穿氧化层的表面，形成平行排列在所述隧穿氧化层上的多个墙体状栅结构，并依序定义出该些墙体状栅结构中的奇数间隔与偶数间隔；3）旋涂光刻胶，直至所述光刻胶覆盖全部墙体状栅结构和隧穿氧化层表面，而后对所述光刻胶进行降低光刻胶应力的处理；4）去除位于所述奇数间隔内的光刻胶，并刻蚀所述奇数间隔下的隧穿氧化层直至暴露所述半导体衬底表面，再对此暴露的半导体衬底进行离子注入，以形成自对准源区域； 5）去除所述偶数间隔内的光刻胶，对该些墙体状栅结构两侧的半导体衬底进行第二导电类型轻掺杂漏注入的浅注入，再在该些栅结构两侧形成侧墙；而后对该些墙体状栅结构两侧的半导体衬底进行第二导电类型的源漏离子注入，在位于该些栅结构中奇数间隔的自对准源区域形成源区，在位于该些墙体状栅结构中偶数间隔的半导体衬底中形成漏区；6）制作所述栅结构、源区和漏区的接触孔和引线，以供电连接。