[发明专利]一种半导体量子阱光探测器件

摘要

本发明属于光波探测器技术领域，具体涉及一种半导体量子阱光探测器件。该探测器包括半导体层、量子阱层和一层亚波长周期性结构的金属膜；量子阱中至少具有两个能级，并具有一定的载流子浓度。一定频谱宽度入射光波垂直或倾斜于半导体层入射，入射光波激发周期性结构的金属膜/量子阱界面的表面等离子体，表面等离子体被半导体量子阱吸收并发生电子子带跃迁过程，跃迁的电子在外加偏压下形成电流信号。本发明中的半导体量子阱光探测器件，其探测效率可大幅度提高。

主权项

1. 一种半导体量子阱光探测器件（100），其特征在于包括： 半导体层（102），在该半导体层（102）一侧表面（106）内侧有量子阱层（104），量子阱层（104）中具有浓度为10¹⁵-10¹⁸/cm³的载流子，并至少具有两个能级；金属层（108），该金属层（108）在半导体表面（106）上，并具有亚波长周期性金属孔结构；  入射光波（110），该入射光波（110）在垂直于半导体表面（106）和量子阱层（104）平面的方向上，或者在与垂直方向成一倾斜角的方向上，从半导体层（102）一侧入射并最终被量子阱层（104）所吸收，。