[发明专利]薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201210151604.7 | 申请日： | 2006-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102709313A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 广濑笃志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法。本发明提供了形状比传统情况更容易控制的圆形薄膜晶体管的制造方法，同时该方法通过诸如液滴释放方法的无掩模方法形成圆形薄膜晶体管而简化了步骤并且降低了制造时间和成本。在本发明中，通过诸如液滴释放方法的无掩模方法，在衬底的上方堆叠同心圆形薄膜来形成具有圆形电极的圆形薄膜晶体管。另外，通过诸如液滴释放方法的无掩模方法，可以通过在衬底的上方堆叠同心圆形薄膜来形成具有圆形半导体层的圆形薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种圆形薄膜晶体管，包括：在衬底之上的圆形电极；在所述圆形电极之上的绝缘层；在第一绝缘层之上的圆形半导体层；与所述圆形半导体层的中央部分交叠的源电极；以及覆盖所述圆形半导体层的外围部分的漏电极，所述漏电极围绕所述源电极，其中所述圆形电极和所述圆形半导体层以同心的方式堆叠。
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