[发明专利]一种超薄配位聚合物薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明属于功能薄膜技术领域，具体为一种超薄配位聚合物薄膜及其制备方法和应用。本发明制备方法为：在平整的基底表面上沉积铜膜，让铜膜表面形成铜氧化物超薄覆盖层，再与有机配体的乙醚溶液通过固液界面反应，形成一层高度平整的超薄配位聚合物薄膜。采用本发明方法制备的超薄配位聚合物薄膜平整性很高，并且能克服溶剂残留问题。以这种超薄配位聚合物薄膜做介质层，制得的“铜-配位聚合物-铝”薄膜器件是一种一次写入多次读取的电存储器件，性能优良，成品率极高，有实际应用价值。

主权项

一种超薄配位聚合物薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：（1）在平整的基板上通过真空热蒸发方法沉积厚度为150‑300纳米的铜膜；（2）在室温下、大气环境中放置2~3天，让铜膜表面自然氧化；（3） 再将铜膜样品浸入到浓度为0.2~5毫摩尔/升的N2S3的乙醚溶液中，浸泡10~30小时；（4）从溶液中取出样品，用乙醚充分洗涤，干燥，即在铜膜表面上形成Cu‑N2S3配位聚合物薄膜。