[发明专利]一种界面电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201210151835.8 | 申请日： | 2012-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN103383968A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种界面电荷补偿肖特基半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，界面电荷补偿区与漂移层半导体材料产生电荷补偿，使得在界面电荷补偿区之间的耗尽层交叠，从而提高器件的反向击穿电压，或者降低器件的正向导通电阻改善器件的正向导通特性。本发明还提供了一种界面电荷补偿肖特基半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 界面 电荷 补偿 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种界面电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；界面电荷补偿区，为具有电荷陷阱的绝缘介质构成，位于漂移层中，临靠漂移层表面，与第一导电半导体材料交替排列；肖特基势垒结，位于漂移层上表面，为半导体材料与金属形成的势垒结。
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