[发明专利]表面发射激光器及阵列、光学扫描装置、成像设备、光学传输模块和系统有效
申请号: | 201210152025.4 | 申请日: | 2008-11-13 |
公开(公告)号: | CN102664348A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 佐藤俊一;伊藤彰浩;日野威;轴谷直人 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;G02B26/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王冉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开一种表面发射激光器,其能够容易地制造,具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中,选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分;包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的,低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制,从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。 | ||
搜索关键词: | 表面 发射 激光器 阵列 光学 扫描 装置 成像 设备 传输 模块 系统 | ||
【主权项】:
一种在垂直于其衬底方向发光的表面发射激光器,所述表面发射激光器包括:包括有源层的振荡器结构;半导体分布式布拉格反射器,每个半导体分布式布拉格反射器包括多对低折射率层和高折射率层,所述半导体分布式布拉格反射器夹置所述振荡器结构;以及电流限制结构,其中电流通过区域由氧化层围绕,所述电流限制结构通过选择性氧化铝而形成在所述半导体分布式布拉格反射器中,其中,所述氧化层包括第一和第二边界表面,所述第一边界表面设置在更靠近所述有源层的一侧上,所述第二边界表面设置在另一侧上。所述氧化层的厚度随着距离所述电流通过区域的距离减小而逐渐减小,以及所述第二边界表面比所述第一边界表面相对于垂直于激光发射方向的虚拟表面更倾斜。
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