[发明专利]半导体器件制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201210152215.6 | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN103426811A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 杨鑫 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/544;H01L23/528 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件制造方法，包括多个功能层的介质层的积淀步骤、接触孔或通孔的形成步骤以及金属层的形成步骤，所述接触孔或通孔形成步骤和金属层的形成步骤中，包括对介质层和金属层上与刻号标记光刻对应的区域进行光刻曝光的步骤，在至少一个功能层上，所述对与刻号标记光刻对应的区域进行光刻曝光的步骤仅针对所述金属层。还公开一种采用上述方法得到的半导体器件。所述方法及器件既不影响刻号标记的读取，也能够避免刻号标记附近区域聚焦缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括多个功能层的介质层的积淀步骤、接触孔或通孔的形成步骤以及金属层的形成步骤，所述接触孔或通孔形成步骤和金属层的形成步骤中，包括对介质层和金属层上与刻号标记光刻对应的区域进行光刻曝光的步骤，其特征在于，在至少一个功能层上，所述对与刻号标记光刻对应的区域进行光刻曝光的步骤仅针对所述金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
