[发明专利]一种原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法无效
| 申请号： | 201210152312.5 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102674836A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王京阳;田志林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;C04B35/626 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域，具体地说是一种原位反应制备镥硅氧（Lu2SiO5）粉体陶瓷材料的方法。其以氧化镥粉和二氧化硅粉混合而成的固体粉末混合物作为原料，原位反应得到镥硅氧粉体陶瓷材料，原料粉的摩尔比为Lu2O3:SiO2=1：（0.8~1.2）。本发明可以在较低温度下，较短的时间内制备得到高纯度镥硅氧（Lu2SiO5）粉体陶瓷材料，所制备出的Lu2SiO5粉体陶瓷材料具有高熔点、颗粒细小等特点，是优良的隔热高温陶瓷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 反应 制备 镥硅氧粉体 陶瓷材料 方法 | ||
【主权项】：
一种原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法，其特征在于，其以氧化镥粉和二氧化硅粉混合而成的固体粉末混合物作为原料，原位反应得到镥硅氧粉体陶瓷材料，原料粉的摩尔比为Lu2O3∶SiO2=1∶（0.8~1.2）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210152312.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
