[发明专利]一种可提供宽范围工作电压的基准电流源无效
申请号: | 201210152544.0 | 申请日: | 2012-05-17 |
公开(公告)号: | CN102654779A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 吴海宏;张勇;王勇;孙锋;陈钟鹏;曹发兵;朱琪;韩磊;朱奎;沈小波;从红艳 | 申请(专利权)人: | 中科芯集成电路股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/565 | 分类号: | G05F1/565 |
代理公司: | 江苏英特东华律师事务所 32229 | 代理人: | 周晓东 |
地址: | 214072 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种可提供宽范围工作电压的基准电流源,包括结型场效应管,所述结型场效应管的结构为一个P沟道的JFET管,其沟道为低浓度的P型注入,P型沟道被N+和NWELL完全包围,N+和NWELL作为JFET管的栅端,两个SP注入区一个作为JFET管的源端、另一个作为JFET管的漏端;把栅端和源端短接后连接到输入工作电压,漏端输出电流,可采用单个或N个JFET管串联来作为基准电流源,其工作电压范围为N*Vp~N*Vb,即N*Vp<输入工作电压<N*Vb时,输出为恒定电流。其优点在于:可实现宽工作电压范围;且线路简单、实现容易、没有额外功耗,版图实现简单;还可进行扩展,满足更宽的工作电压范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 提供 范围 工作 电压 基准 电流 | ||
【主权项】:
一种可提供宽范围工作电压的基准电流源,其特征在于:包括结型场效应管,所述结型场效应管的结构为一个P沟道的JFET管,其沟道为低浓度的P型注入,P型沟道被N+和NWELL完全包围,N+和NWELL作为JFET管的栅端(Gate),两个SP注入区一个作为JFET管的源端(Source)、另一个作为JFET管的漏端(Drain);把栅端(Gate)和源端(Source)短接后连接到输入工作电压(Vin),漏端(Drain)输出电流,所述P沟道JFET管的夹断电压为Vp,击穿电压为Vb,当采用单个JFET管来作为基准电流源时,其工作电压范围为Vp~Vb,即Vp<输入工作电压(Vin)<Vb时,输出电流为恒定电流(IR)。
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