[发明专利]一种瞬态电压抑制器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210152857.6 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103426877A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;段文婷;石晶;胡君;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括：N型衬底上的P型外延层，P型外延层中并列形成有P型隔离阱和深P阱，所述P型隔离阱和深P阱与N型衬底有接触，形成在两个P型隔离阱之间P型外延层中的P型注入区，形成在P型注入区上方的N型注入区，形成在深P阱中的N型注入区；将P型注入区上方的N型注入区和深P阱中的N型注入区连接接出作为抑制器的一端，将N型衬底连接接出作为抑制器的另一端。本发明还公开了所述瞬态电压抑制器的制造方法。本发明的瞬态电压抑制器能提供6伏特标准击穿电压。本发明瞬态电压抑制器的制造方法能实现瞬态电压抑制器中的齐纳二极管的击穿电压不受隔离阱高温退火的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 瞬态 电压 抑制器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种瞬态电压抑制器，包括：N型衬底上的P型外延层，P型外延层中并列形成有P型隔离阱和深P阱，所述P型隔离阱和深P阱与N型衬底有接触，形成在两个P型隔离阱之间P型外延层中的P型注入区，形成在P型注入区上方的N型注入区，形成在深P阱中的N型注入区；将P型注入区上方的N型注入区和深P阱中的N型注入区连接接出作为抑制器的一端，将N型衬底连接接出作为抑制器的另一端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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