[发明专利]振铃抑制电路有效

专利信息
申请号: 201210153025.6 申请日: 2012-05-16
公开(公告)号: CN102790735B 公开(公告)日: 2018-02-09
发明(设计)人: 森宽之;小畑洋幸;北川昌宏;岸上友久;小池智礼;前田登;铃木洋一朗 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H04L25/02 分类号: H04L25/02;H04L25/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 陈松涛,夏青
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种由MOSFET(4,5,7)形成的线间切换元件设置在一对信号线(3P,3N)之间。当差分信号的电平从高变为低时,控制电路将FET(4,5,7)导通一固定时间段,从而通过当差分信号的电平转换时降低信号线(3P,3N)之间的阻抗,并且通过使得差分信号波形的失真的能量被FET(4,5,7)的导通电阻吸收,来抑制振铃。
搜索关键词: 振铃 抑制 电路
【主权项】:
一种振铃抑制电路,用于抑制在通过传输线(3)传输差分信号中生成的振铃,所述传输线(3)由一对高电势侧信号线(3P)和低电势侧信号线(3N)形成,所述振铃抑制电路包括:电压驱动型第一和第二线间切换元件(4,5),其串联连接在该对信号线之间;以及控制部(11,14,22,22a),用于当检测到所述差分信号的电平发生变化时,将所述第一和第二线间切换元件同时导通一固定时间段,其中所述控制部连接到所述传输线以及所述第一和第二线间切换元件的控制端子,并且响应于检测到所述差分信号的电平变化,所述控制部通过使所述第一和第二线间切换元件导通来降低所述高电势侧信号线和所述低电势侧信号线之间的阻抗,其中所述切换元件(4,5)是MOSFET,其具有导通电阻,当所述切换元件导通时,所述信号线(3P,3N)经由所述切换元件的导通电阻来连接以降低所述阻抗,其中所述控制部(11,14,22,22a)包括:逆变电路(9,13,21,21a),用于逆变所述差分信号的电平;以及延迟电路(8,8a,17),用于持续所述固定时间段来延迟所述差分信号的所述变化,所述第一和第二线间切换元件中的一个通过所述逆变电路接通,并且所述第一和第二线间切换元件中的另一个通过所述延迟电路关断,其中:所述逆变电路(9,13,21,21a)包括电压驱动型控制切换元件(9,13),其具有连接到该对信号线之一的电势参考侧导电端子、如果所述差分信号具有高电平则以导电状态进行连接的控制端子、以及连接到所述第一和第二线间切换元件之一的所述控制端子的非参考侧导电端子。
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