[发明专利]嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210153148.X 申请日: 2012-05-16
公开(公告)号: CN102651390A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 王玉东;付军;崔杰;赵悦;刘志弘;张伟;吴正立;许平 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L29/73 分类号: H01L29/73;H01L29/10;H01L21/331
代理公司: 北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 代理人: 张岱
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管,为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区,基区上的发射极,以及发射极两侧的侧墙,外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成,而且嵌入在所述集电区内。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应,同时也降低了器件的外基区电阻,使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构,步骤简练,成本低,操作简易,所得结构性能良好。
搜索关键词: 嵌入式 外延 外基区 双极晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
一种嵌入式外延外基区双极晶体管,至少包括集电区、集电区上的基区和外基区,基区上的发射极,以及发射极两侧的侧墙,其特征在于:所述外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成,而且嵌入在所述集电区内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210153148.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top