[发明专利]嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210153217.7 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102709318A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王玉东;付军;崔杰;赵悦;刘志弘;张伟;李高庆;吴正立;许平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 | 代理人： | 张岱 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 外延 外基区 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式外延外基区双极晶体管，至少包括重掺杂的埋层集电区、埋层集电区上的集电区、集电区内的选择性注入集电区、集电区上的基区和外基区、基区上的发射极、以及发射极两侧的侧墙，其特征在于：所述外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。
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