[发明专利]晶闸管元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种晶闸管元件，包括一基底区、一对第一掺杂区、至少一第二掺杂区、至少一第三掺杂区以及一对金属层。这对第一掺杂区分别形成于基底区的两侧，并接触基底区。第二掺杂区形成在其中一个第一掺杂区与基底区之间，并接触基底区与第一掺杂区。第三掺杂区形成于其中一个第一掺杂区中，并接触第一掺杂区。第一掺杂区的掺杂类型不同于第二掺杂区、第三掺杂区以及基底区三者的掺杂类型。这对金属层分别接触这些第一掺杂区，而这些第一掺杂区与第三掺杂区皆位在这些金属层之间。本发明的晶闸管元件具有偏低的击穿电压。

主权项

一种晶闸管元件，其特征在于该晶闸管元件包括：基底区，具有第一侧以及相对该第一侧的第二侧；一对第一掺杂区，分别形成于该第一侧与该第二侧，并接触该基底区；至少一第二掺杂区，形成在其中一个第一掺杂区与该基底区之间，并接触该基底区与该第一掺杂区；至少一第三掺杂区，形成于其中一个第一掺杂区中，并接触该第一掺杂区，该第三掺杂区未接触该基底区；其中所述第一掺杂区的掺杂类型不同于该第二掺杂区、该第三掺杂区以及该基底区三者的掺杂类型；以及一对金属层，分别接触所述第一掺杂区，而所述第一掺杂区与该第三掺杂区皆位在所述一对金属层之间，其中一层金属层还接触该第三掺杂区。