[发明专利]一种场效应晶体管阈值电压提取方法有效
| 申请号： | 201210153935.4 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102707227A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 何进;马晨月;陈文新;张立宁 | 申请（专利权）人： | 深港产学研基地 |
| 主分类号： | G01R31/30 | 分类号： | G01R31/30 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518057 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种尤其适用于纳米FinFET场效应晶体管的阈值电压提取方法，包括：选择三点不同漏-源电压Vds，将栅-源电压Vgs从-0.5伏扫描到+1.5伏，测试出场效应晶体管的转移电流特性曲线Ids-Vgs，确定器件正常工作；选择三点不同Vgs，将Vds从0伏扫描到+1.5伏，测试出场效应晶体管的输出电流特性曲线Ids-Vds；将漏-源输出电流Ids对Vds求导，得到输出电导特性曲线Gout-Vds，再在线性区内选二点获取对应直线的截距和斜率；提取场效应晶体管的阈值电压Vth， |
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| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 阈值 电压 提取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管阈值电压提取方法，其特征在于，包括以下步骤：101)选择三点不同漏-源电压Vds，将栅-源电压Vgs从-0.5伏扫描到+1.5伏，测试出FinFET场效应晶体管的转移电流特性曲线Ids-Vgs，确定器件正常工作；102)选择三点不同栅-源电压Vgs，将Vds从0伏扫描到+1.5伏，测试出FinFET场效应晶体管的输出电流特性曲线Ids-Vds；将漏-源输出电流Ids对Vds求导，得到输出电导特性曲线Gout-Vds；当Vds较小时，Gout与Vds呈线性关系；利用线性拟合，在线性区内得到Vgs＝Vgs1条件下直线的截距A1和斜率B1，和Vgs＝Vgs2条件下直线的截距A2和斜率B2，其中：Vgs1≠Vgs2；103)利用公式III和公式VI计算FinFET场效应晶体管的阈值电压Vth，![]()
并画出Vth-Vds的关系曲线；其中：ηA和ηB是：输出电导特性曲线Gout-Vds的线性区外推线的截距ηA和输出电导特性曲线Gout-Vds的线性区外推线的斜率ηB；公式III是：η A = A 1 | V gs 1 A 2 | V gs 2 = 1 + θ ( V gs 2 - V th ) 1 + θ ( V gs 1 - V th ) · ( V gs 1 - V th ) ( V gs 2 - V th ) ; η B = B 1 B 2 = WC ox μ eff 1 / L WC ox μ eff 2 / L = 1 + θ ( V gs 2 - V th ) 1 + θ ( V gs 1 - V th ) .
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