[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201210154027.7 | 申请日: | 2012-05-17 |
公开(公告)号: | CN102790070A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 杉森畅尚 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种发光元件,其具备LED和保护二极管形成于同一衬底上,且适于倒装芯片安装的构成。作为解决手段,在LED区域(X)形成LED,在保护二极管区域(Y)形成保护二极管。此时,LED阳极(51a)和保护二极管阴极(52b)、LED阴极(52a)和保护二极管阳极(51b)夹着分离槽(Z)分别相对。在P侧电极(51)和n侧电极(52)的厚度同等的情况下,LED区域(X)的LED阳极(51a)、LED阴极(52a)、保护二极管区域(Y)的保护二极管阳极(51b)、保护二极管阴极(52b)的高度相等。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种发光元件,其构成为在绝缘性衬底上形成有层叠n型层和p型层而成的半导体层,使用上述半导体层形成了发光二极管和保护二极管,该发光元件的特征在于,在上述衬底上的发光二极管区域与上述衬底上的保护二极管区域之间具备去除上述半导体层而形成的分离槽,其中,该发光二极管区域是形成有上述发光二极管的区域,该保护二极管区域是形成有上述保护二极管的区域,隔着绝缘层在上述发光二极管区域的上述半导体层之上形成发光二极管阴极和发光二极管阳极,隔着绝缘层在上述保护二极管区域的上述半导体层之上形成保护二极管阴极和保护二极管阳极,夹着上述分离槽以分别相对的方式配置有上述发光二极管阳极和上述保护二极管阴极、上述发光二极管阴极和上述保护二极管阳极,上述半导体层之上的上述发光二极管阳极、上述发光二极管阴极、上述保护二极管阴极和上述保护二极管阳极的高度大致相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的