[发明专利]包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210154178.2 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103390565A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈智;林汉文 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;B23K1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构及其制备方法。本发明的电性连接结构的制备方法包括步骤：A、提供一第一基板；B、在第一基板的部分表面形成一第一纳米双晶铜层；C、使用一焊料将第一基板与一第二基板连接，第二基板具有一第二电性垫，第二电性垫包括第二纳米双晶铜层，且焊料配置于第一及第二纳米双晶铜层之间；以及D、以200℃至300℃的温度进行回焊(reflow)使焊料部分转换为一介金属化合物(intermetallic compound，IMC)层，且介金属化合物层包括在优选方向(preferred orientation)生长的Cu6Sn5晶粒；其中，第一及第二纳米双晶铜层的50％以上的体积分别包括双晶铜晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 优选 方向 生长 cu sub sn 晶粒 连接 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构的制备方法，包括步骤：A、提供一第一基板；B、在该第一基板的部分表面形成一第一纳米双晶铜层；C、使用一焊料将该第一基板与一第二基板连接，该第二基板具有一第二电性垫，该第二电性垫包括一第二纳米双晶铜层，且该焊料配置于该第一纳米双晶铜层与该第二纳米双晶铜层之间；以及D、以200℃至300℃的温度进行回焊(reflow)使该焊料至少部分转换为一介金属化合物(intermetallic compound，IMC)层，且该介金属化合物层包括在优选方向(orientational)生长的多个Cu6Sn5晶粒；其中，该第一纳米双晶铜层及该第二纳米双晶铜层的50％以上的体积分别包括多个双晶铜晶粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人交大思源基金会，未经财团法人交大思源基金会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210154178.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种检测水中总有机碳含量的紫外线催化器
- 下一篇：具有自卸功能的小型环卫车
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
