[发明专利]鳍式BJT有效
| 申请号： | 201210154484.6 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103187438A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张智胜;林以唐;谢铭峰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/735;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用鳍式场效应晶体管（FinFET）互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺流程所形成的双极结型晶体管（BJT）。该BJT包括形成在衬底上方的发射极鳍、基极鳍以及集电极鳍。基极鳍围绕着发射极鳍，并且集电极鳍围绕着发射极鳍。在一些实施例中，当从上方观看时，发射极鳍、基极鳍以及集电极鳍具有正方形的形状并且彼此同心。还提供了一种鳍式BJT。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式 bjt | ||
【主权项】：
一种双极结型晶体管（BJT），包括：发射极鳍，形成在衬底上方；基极鳍，形成在所述衬底上方，所述基极鳍围绕所述发射极鳍；以及集电极鳍，形成在所述衬底上方，所述集电极鳍围绕所述基极鳍，从而形成了所述BJT。
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