[发明专利]具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管无效
| 申请号： | 201210155106.X | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102664226A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈凯轩;林志伟;蔡建九;林志园 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，包括一衬底，在衬底的下面连接有第一电极，在衬底的上面依次连接有第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层及第二电极，沿第二型电流扩展层的生长方向间隔连接X个Delta掺杂层，其中1≤X≤50；优选所述的Delta掺杂层的厚度≤1nm；本发明可以提高电流扩展层的横向电导率，有效降低发光二极管的正向工作电压，提高发光二极管的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 调制 掺杂 电流 扩展 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，包括一衬底，在衬底的下面连接有第一电极，在衬底的上面依次连接有第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层及第二电极，其特征在于：沿第二型电流扩展层的生长方向间隔连接X个Delta掺杂层，其中1 ≤ X ≤ 50。
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