[发明专利]层状二硼化镁晶体组织及合成方法无效
申请号: | 201210156413.X | 申请日: | 2012-05-17 |
公开(公告)号: | CN102718230A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 马宗青;刘永长;蔡奇;姜华 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C01B35/04 | 分类号: | C01B35/04 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及层状二硼化镁晶体组织及合成方法;将Mg粉、Cu粉和B粉按比例在玛瑙研钵或行星式球磨机中充分混合和研磨,在2~10MPa的压力下制成薄片,最后将薄片放入高温差示扫描量热仪或者管式烧结炉进行低温烧结,升温至500~600℃后,保温然后降至室温。晶体组织六方的MgB2晶体在c轴方向上呈现出层状排列;在X射线图谱上,Cu粉的添加在低温烧结条件下形成了宽化的液相峰,Mg-Cu共晶液相,使MgB2晶粒的形核-长大环境由原来的完全固相变成局部液相;其c轴方向上晶面衍射峰的相对强度高于传统烧结合成的随机排列的MgB2晶体组织c轴方向上晶面衍射峰强度;在c轴上的相对织构度达到12%以上。 | ||
搜索关键词: | 层状 二硼化镁 晶体 组织 合成 方法 | ||
【主权项】:
一种层状二硼化镁晶体组织,其特征是六方的MgB2晶体在c轴方向上呈现出层状排列;在X射线图谱上,Cu粉的添加在低温烧结条件下形成了宽化的液相峰,Mg‑Cu共晶液相,使MgB2晶粒的形核‑长大环境由原来的完全固相变成局部液相;其c轴方向上晶面衍射峰的相对强度高于传统烧结合成的随机排列的MgB2晶体组织c轴方向上晶面衍射峰强度;在c轴上的相对织构度达到12%以上。
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