[发明专利]中子屏蔽材料及制备工艺有效
| 申请号： | 201210156866.2 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103426492A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 柯于斌;陶举洲;周健荣;王凌倩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | G21F1/02 | 分类号： | G21F1/02 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 100049 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种中子屏蔽材料及制备工艺。所述中子屏蔽材料包含：超高分子量聚乙烯、至少一种硼化合物、和至少一种硬脂酸或其盐。本发明还提供了制备该中子屏蔽材料的方法。本发明中子屏蔽材料具有成本低廉、制备简单、成型性好、产品优良率高、中子屏蔽效果好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 中子 屏蔽 材料 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种中子屏蔽材料，其包含：超高分子量聚乙烯至少一种硼化合物、和至少一种硬脂酸或其盐。
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