[发明专利]用于在基板上制造金属层的方法和器件无效
| 申请号： | 201210157001.8 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102789966A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 哈利勒·哈希尼;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/48;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在基板上制造金属层的方法和器件。具体地，本发明提供了一种在半导体基板上制造金属层的方法。通过沉积金属颗粒在半导体基板上制造金属层。该金属颗粒包括由第一金属材料制成的核和包围该核的壳。该壳由抗氧化的第二金属材料制成。本发明还涉及一种用于制造半导体基板中的通孔的方法以及制造半导体芯片的方法。本发明还涉及一种半导体器件，其包括包含第一电极的半导体芯片；和施加于该半导体芯片的第一电极的金属颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基板上 制造 金属 方法 器件 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体基板；和通过在所述半导体基板上沉积金属颗粒而在所述半导体基板上形成金属层，其中所述金属颗粒包含由第一金属材料制成的核和包围所述核的壳，所述壳由抗氧化的第二金属材料制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
