[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 201210157234.8 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102969363A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 朴锺贤;崔埈厚;许成权 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;姚志远 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管阵列衬底及其制造方法。一种衬底，包括：有源层、栅电极、源电极和漏电极、第一绝缘层和第二绝缘层、与栅电极位于相同的层上的第一线和第二线、第三线、修复线以及像素电极，第一线和第二线包括与栅电极相同的材料且以第一方向排列，第三线与第一线交叉，第三线与源电极和漏电极位于相同的层上并包括与源电极和漏电极相同的材料，且以第二方向排列，修复线与有源层位于相同的层上，修复线包括与有源层相同的材料，像素电极位于像素区域中，像素电极与栅电极的下电极位于相同的层上并包括与下电极相同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
薄膜晶体管阵列衬底，包括：薄膜晶体管，位于衬底上的像素区域中，所述薄膜晶体管包括有源层、具有下电极和上电极的栅电极、源电极和漏电极、插在所述有源层与所述栅电极之间的第一绝缘层、以及插在所述栅电极与所述源电极和漏电极之间的第二绝缘层；第一线和第二线，与所述栅电极位于相同的层上，所述第一线和所述第二线包括与所述栅电极相同的材料且以第一方向排列；第三线，与所述第一线交叉，以限定像素区域，所述第三线与所述源电极和漏电极位于相同的层上，并包括与所述源电极和漏电极相同的材料，并且所述第三线以第二方向排列；修复线，与所述有源层位于相同的层上，所述修复线包括与所述有源层相同的材料；以及像素电极，位于所述像素区域中，所述像素电极与所述下电极位于相同的层上，并包括与所述下电极相同的材料。
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