[发明专利]一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法有效
申请号: | 201210157809.6 | 申请日: | 2012-05-21 |
公开(公告)号: | CN102832150A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;王洲男;龙吟;郭明升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/02 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法,其中,包括以下的工艺步骤:在器件的有源区中形成N型井和P型井;在N型井和P型井中刻蚀出镍金属填充区域;在镍金属填充区域进行镍金属硅化物的填充;在有源区以及N型井和P型井的上表面淀积介质层;在位于N型井和P型井的镍金属硅化物的上表面,刻蚀介质层并形成两接触孔;在两接触孔中进行钨的填充;对器件进行退火;使用电子显微镜检测镍金属硅化物在器件的平面里所生长的长度。通过使用本发明一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法,有效地通过电子显微镜观察P型井与N型井中间不同尺寸的接触孔的亮光与暗光的变化,可以计算出得出镍金属硅化物在器件的平面内所生长的长度,同时能够很好的控制该工艺的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 检测 金属硅 平面 生长 长度 方法 | ||
【主权项】:
一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法,其特征在于,包括以下的工艺步骤:步骤一,在器件的有源区中形成N型井和P型井;步骤二,在所述N型井和P型井中相互相向的位置刻蚀出镍金属填充区域;步骤三,在镍金属填充区域进行镍金属硅化物的填充;步骤四,在所述有源区以及所述N型井和P型井的上表面淀积介质层;步骤五,在位于所述N型井和P型井的镍金属硅化物的上表面,刻蚀介质层并形成两接触孔;步骤六,在所述两接触孔中进行钨的填充;步骤七,对器件进行退火;步骤八,使用电子显微镜直接检测观察镍金属硅化物在器件的平面里所生长的长度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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