[发明专利]闪速存储器的坏块管理方法有效

专利信息
申请号: 201210157878.7 申请日: 2012-05-21
公开(公告)号: CN102722443A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 唐红飞 申请(专利权)人: 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;刘奕晴
地址: 215021 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种闪速存储器的坏块管理方法。所述方法包括下述步骤:将闪速存储器的存储空间划分为包括多个块的第一区域和包括多个块的第二区域;对闪速存储器进行坏块检测,以得到关于坏块的信息;根据得到的关于坏块的信息,建立第一区域中的坏块与第二区域中的正常块之间的映射关系,并生成包括关于建立的映射关系的信息的块映射快速访问表;将生成的块映射快速访问表分别存储在第二区域中的多个坏块管理信息块中,其中,所述多个坏块管理信息块是第二区域中的不具有与第一区域中的坏块的映射关系的任意的正常块。
搜索关键词: 存储器 管理 方法
【主权项】:
一种闪速存储器的坏块管理方法,其特征在于,所述方法包括下述步骤:将闪速存储器的存储空间划分为包括多个块的第一区域和包括多个块的第二区域;对闪速存储器进行坏块检测,以得到关于坏块的信息;根据得到的关于坏块的信息,建立第一区域中的坏块与第二区域中的正常块之间的映射关系,并生成包括关于建立的映射关系的信息的块映射快速访问表;将生成的块映射快速访问表分别存储在第二区域中的多个坏块管理信息块中,其中,所述多个坏块管理信息块是第二区域中的不具有与第一区域中的坏块的映射关系的任意的正常块。
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