[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制造半导体器件的方法。向包括氧化物半导体膜的半导体器件提供稳定的电学特性和高可靠性。在制造包括氧化物半导体膜的晶体管的过程中，形成无定形氧化物半导体膜，向所述无定形氧化物半导体膜加入氧，这样形成含过量氧的无定形氧化物半导体膜。然后，在所述无定形氧化物半导体膜上形成氧化铝膜，在其上进行热处理，以使至少部分无定形氧化物半导体膜结晶，这样形成晶体氧化物半导体膜。

主权项

一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成无定形氧化物半导体膜；通过离子注入方法、离子掺杂方法或等离子体浸入的离子注入方法向所述无定形氧化物半导体膜添加氧以形成包含添加氧的无定形氧化物半导体膜；在所述包含添加氧的无定形氧化物半导体膜上形成氧化铝膜；和对所述包含添加氧的无定形氧化物半导体膜进行第一热处理，以在所述添加氧的步骤之后形成包括晶体的氧化物半导体膜，所述无定形氧化物半导体膜具有含氧量超过晶体状态时氧化物半导体中化学计量比的区域，以及通过所述添加氧的步骤，所述无定形氧化物半导体膜具有更均匀的无定形状态。