[发明专利]一种铝薄膜的制备工艺无效
| 申请号： | 201210158827.6 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102709180A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 孔祥涛;胡彬彬;张旭升;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路的制造领域，尤其涉及一种铝薄膜的制备工艺。本发明提出一种铝薄膜的制备工艺，通过优化铝薄膜的沉积条件，改善了铝颗粒的成长过程，从而有效的减少晶须缺陷的产生，进而提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种铝薄膜制备工艺，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：在一硅衬底上，依次采用低温沉积第一钛薄膜和第一氮化钛薄膜覆盖所述硅衬底的上表面；步骤S2：采用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面，形成铝层；步骤S3：依次沉积保护层和抗反射层覆盖所述第二铝薄膜的上表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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