[发明专利]一种磁屏蔽系统以及提高原子频标磁屏蔽性能的方法有效

专利信息
申请号: 201210160803.4 申请日: 2012-05-17
公开(公告)号: CN103429062A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 戴家瑜;张勇;裴雨贤;林传富 申请(专利权)人: 中国科学院上海天文台
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;H03L7/26
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 邓琪
地址: 200030*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种磁屏蔽系统以及提高原子频标磁屏蔽性能的方法。该系统包括原子储存泡;容置所述原子储存泡的由微波腔上盖、微波腔筒和微波腔下盖首尾相连围成的微波腔;围绕所述微波腔的外壁设置的工作磁场线圈;还包括:由内向外以嵌套式结构彼此间隔开设置的经过真空高温热处理的第一磁屏蔽层、第二磁屏蔽层和第三磁屏蔽层;所述第一磁屏蔽层位于所述工作磁场线圈和所述第二磁屏蔽层之间。该方法包括对所述磁屏蔽系统的各层磁屏蔽层进行真空高温热处理。本发明解决了现有技术中的磁屏蔽系统体积大、重量重的问题,同时保证良好的磁屏蔽性能,还提高了对环境磁场的适应性,降低原子频标对空间环境磁场要求的苛刻程度。
搜索关键词: 一种 屏蔽 系统 以及 提高 原子 频标磁 性能 方法
【主权项】:
一种磁屏蔽系统,包括:原子储存泡;容置所述原子储存泡的由微波腔上盖、微波腔筒和微波腔下盖首尾相连围成的微波腔;围绕所述微波腔的外壁设置的工作磁场线圈;其特征在于,该磁屏蔽系统还包括:由内向外以嵌套式结构彼此间隔开设置的经过真空高温热处理的第一磁屏蔽层、第二磁屏蔽层和第三磁屏蔽层;其中,所述第一磁屏蔽层位于所述工作磁场线圈和所述第二磁屏蔽层之间。
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