[发明专利]非自我对准的非挥发性存储器结构

摘要

本发明提供一种非自我对准的非挥发性存储器结构，其主要包含有一半导体基底、一左浮动栅极存储器晶胞与一右浮动栅极存储器晶胞、一控制栅极，以及一位于两存储器晶胞与控制栅极之间的栅极绝缘层。此两浮动栅极存储器晶胞的漏极分别接到不同电压准位。控制栅极是位于两浮动栅极存储器晶胞上且涵盖两浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极，以同时控制两浮动栅极。本发明的非挥发性存储器结构无须栅极线对线对准的需求，以降低工艺的复杂度、所需使用的光罩层数以及制造成本。

主权项

一种非自我对准的非挥发性存储器结构，其特征在于，其包含有：一半导体基底；一左浮动栅极存储器晶胞与一右浮动栅极存储器晶胞，其形成于该半导体基底上，该左浮动栅极存储器晶胞的漏极与该右浮动栅极存储器晶胞的漏极分别接到不同电压准位；一控制栅极，其位于该左浮动栅极存储器晶胞与该右浮动栅极存储器晶胞上，且该控制栅极涵盖该左浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极与该右浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极，以同时控制该左浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极与该右浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极；以及一栅极绝缘层，其是位于该左浮动栅极存储器晶胞、该右浮动栅极存储器晶胞与该控制栅极之间。