[发明专利]一种动态随机存储器单元及其制备方法

摘要

本发明提出了一种动态随机存储器单元及其制备方法，该动态随机存储器单元包括衬底，形成在衬底之上的晶体管操作区和电荷存储区，该晶体管操作区和电荷存储区在空间上分离，其通过电荷通道与电荷存储区相连，在晶体管操作区内形成有源极、漏极和沟道区，在晶体管操作区之上形成有栅介质层、栅极、源极金属层和漏极金属层。本发明的动态随机存储器单元将产生的载流子存储在晶体管下方的电荷存储区中，在数据读取的过程中，不会破坏存储在电荷存储区内的电荷，提高了最大刷新时间，晶体管操作区与电荷存储区在空间上分离，使电荷泄漏显著减小，提高了数据的保持时间。本发明的制备方法工艺简单并且与传统的CMOS工艺兼容。

主权项

一种动态随机存储器单元，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的晶体管操作区和电荷存储区，所述晶体管操作区和电荷存储区在空间上分离，所述晶体管操作区通过电荷通道与所述电荷存储区相连；在所述晶体管操作区内形成有源极、漏极和沟道区；在所述晶体管操作区之上形成有栅介质层、栅极、源极金属层和漏极金属层。