[发明专利]一种用于磁控溅射镀膜过程的直流脉冲装置无效
| 申请号： | 201210161362.X | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102677010A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 文晓斌;栾亚 | 申请（专利权）人： | 文晓斌 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 | 代理人： | 郭防 |
| 地址： | 518104 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于磁控溅射镀膜过程的直流脉冲装置，包括溅射靶位（1）和自转装卡台（2），溅射靶位（1）下方设有自转装卡台（2），自转装卡台（2）连接有离子脉冲偏压电源（3）。本发明同时实现在镀膜过程中镀层的生长及溅射离子对基片的离子轰击两种目的，提高镀层的硬度、致密性，耐腐性、耐磨损及膜/基结合力，同时对基片表面产生清洗作用，以清除基片表面上的污染物和氧化物、产生缺陷作用、破坏表面结晶结构、改变表面形貌、离子掺入、温度升高、表面成分变化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 磁控溅射 镀膜 过程 直流 脉冲 装置 | ||
【主权项】：
一种用于磁控溅射镀膜过程的直流脉冲装置，其特征在于：包括溅射靶位（1）和自转装卡台（2），溅射靶位（1）下方设有自转装卡台（2），自转装卡台（2）连接有离子脉冲偏压电源（3）。
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