[发明专利]设计带隙的MOS栅功率晶体管无效
| 申请号： | 201210161457.1 | 申请日： | 2005-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN102709323A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | G·多利;Q·王;I·何 | 申请（专利权）人： | 费查尔德半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/165 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种设计带隙的MOS栅功率晶体管。一种提高对瞬态电压的抵抗性并减小寄生阻抗的器件、方法和过程。提高了对非箝位感应开关事件的抵抗性。例如，提供了具有SiGe源的沟槽栅功率MOSFET器件，其中SiGe源通过减小基体或阱区中的空穴电流来减小寄生npn晶体管增益，从而减小闭锁条件的可能性。也可去除连接到该器件上的基体以减小晶体管的单元大小。还提供了具有SiGe基体或阱区的沟槽栅功率MOSFET器件。在体二极管导通时SiGe基体可减小空穴电流，从而减小其反向恢复功率损耗。还改进了器件的特性。例如，通过使用多晶SiGe栅减小了寄生栅阻抗，并且通过使用器件栅附近的SiGe层减小了沟道电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 mos 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种MOS栅晶体管，包括：包括源区的基体区；与所述基体区形成pn结的漏区；以及在所述源区和所述漏区之间延伸的栅，其中所述源具有比所述基体区低的能隙。
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