[发明专利]低温晶圆键合的方法及通过该方法形成的结构有效
| 申请号： | 201210161459.0 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103426732A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王志玮;毛剑宏;张镭;唐德明 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;孙向民 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温晶圆键合的方法及通过该方法形成的结构。该低温晶圆键合的方法包括制备包括多个金属压点的第一衬底和靠近所述金属压点的第一电介质层，所述金属压点和所述第一电介质层位于所述第一衬底的上表面；制备包括多个半导体压点的第二衬底和靠近所述半导体压点的第二电介质层，所述半导体压点和所述第二电介质层位于所述第二衬底的上表面；直接接触，所述多个金属压点中的至少一个金属压点和所述多个半导体压点中的至少一个半导体压点直接接触，所述第一电介质层与所述第二电介质层直接接触；以及在第一衬底和第二衬底的压力作用下，键合所述金属压点和所述半导体压点，键合所述第一电介质层和所述第二电介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 晶圆键合 方法 通过 形成 结构 | ||
【主权项】：
一种低温晶圆键合的方法，其特征在于，包括下列步骤：制备包括多个金属压点的第一衬底和靠近所述金属压点的第一电介质层，所述金属压点和所述第一电介质层位于所述第一衬底的上表面；制备包括多个半导体压点的第二衬底和靠近所述半导体压点的第二电介质层，所述半导体压点和所述第二电介质层位于所述第二衬底的上表面；直接接触，所述多个金属压点中的至少一个金属压点和所述多个半导体压点中的至少一个半导体压点直接接触，所述第一电介质层与所述第二电介质层直接接触；以及在第一衬底和第二衬底的压力作用下，键合所述金属压点和所述半导体压点，键合所述第一电介质层和所述第二电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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