[发明专利]存储器及其形成方法

摘要

一种存储器及其形成方法，其中所述存储器包括：半导体衬底，位于半导体衬底内的第一阱区以及与所述第一阱区隔离的第二阱区；位于第一阱区表面的第一栅介质层；位于第一栅介质层表面的第一栅极；位于第一栅介质层和第一栅极两侧的第一源/漏区；位于第二阱区表面的第二栅介质层；位于第二栅介质层表面的第二栅极；位于第二栅介质层和第二栅极两侧的第二源/漏区；位于第一栅极与第二栅极之间的栅极连接层使第一栅极与第二栅极电性连接，且栅极连接层通过第一绝缘层与半导体衬底表面电性隔离；位于第一栅极表面的层间介质层；位于层间介质层表面的金属层；位于第一阱区表面的第一导电插塞使金属层与第一阱区电性连接。所述存储器的性能提高。

主权项

一种存储器，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的第一阱区，以及与所述第一阱区隔离的第二阱区，且所述第一阱区和第二阱区均为第一导电类型；位于所述第一阱区表面的第一栅介质层；位于所述第一栅介质层表面的第一栅极；位于所述第一栅介质层和第一栅极两侧的第一阱区内的第一源/漏区，且所述第一源/漏区为第二导电类型；位于所述第二阱区表面的第二栅介质层；位于所述第二栅介质层表面的第二栅极；位于所述第二栅介质层和第二栅极两侧的第二阱区内的第二源/漏区，且所述第二源/漏区为第二导电类型；位于所述第一栅极与第二栅极之间的栅极连接层，所述栅极连接层使第一栅极与第二栅极电性连接，且所述栅极连接层通过第一绝缘层与半导体衬底表面电性隔离；位于所述第一栅极表面的层间介质层；位于所述层间介质层表面的金属层；位于所述第一阱区表面的第一导电插塞使所述金属层与第一阱区电性连接。