[发明专利]多层微结构磁铁无效
申请号: | 201210162330.1 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN103138416A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 彭明灿;阳毅平;简士翔 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H02K1/06 | 分类号: | H02K1/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种多层微结构磁铁,其使用单层或多层材料层结构为基本结构,并在该材料层结构表面或内部,结合微结构磁铁,以形成一多层微结构磁铁。通过该微结构磁铁所具有的几何结构及其分布改变,以及加上材料层结构材料及几何结构改变,可以加强磁场能量,进而省去不必要的稀土磁铁使用。在另一实施例中,利用该多层微结构磁铁于能量转换装置,例如马达及发电机,可以相对增加其磁场能量。 | ||
搜索关键词: | 多层 微结构 磁铁 | ||
【主权项】:
一种多层微结构磁铁,包括:材料层结构;以及微结构磁铁,其形成于该材料层结构的一表面或内层,该微结构磁铁具有由不同磁场大小所构成的一磁场分布。
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