[发明专利]多层微结构磁铁无效

专利信息
申请号: 201210162330.1 申请日: 2012-05-23
公开(公告)号: CN103138416A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 彭明灿;阳毅平;简士翔 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H02K1/06 分类号: H02K1/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种多层微结构磁铁,其使用单层或多层材料层结构为基本结构,并在该材料层结构表面或内部,结合微结构磁铁,以形成一多层微结构磁铁。通过该微结构磁铁所具有的几何结构及其分布改变,以及加上材料层结构材料及几何结构改变,可以加强磁场能量,进而省去不必要的稀土磁铁使用。在另一实施例中,利用该多层微结构磁铁于能量转换装置,例如马达及发电机,可以相对增加其磁场能量。
搜索关键词: 多层 微结构 磁铁
【主权项】:
一种多层微结构磁铁,包括:材料层结构;以及微结构磁铁,其形成于该材料层结构的一表面或内层,该微结构磁铁具有由不同磁场大小所构成的一磁场分布。
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