[发明专利]一种具有Si3N4和AlN双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法无效
| 申请号： | 201210162468.1 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102689467A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张秀廷;陈步亮;范兵;刘雪莲;王静;杨兴;张晋 | 申请（专利权）人： | 北京天瑞星光热技术有限公司 |
| 主分类号： | B32B15/18 | 分类号： | B32B15/18;B32B15/04;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 赵文利 |
| 地址： | 100080 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有Si3N4和AlN双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法，属于太阳能利用技术领域。所述的涂层从底层到表面依次为红外发射层、吸收层和减反射层；第一层红外发射层由Cu膜或者Ag膜组成，厚度在50～250nm；第二层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为Si3N4和AlN膜，第三层减反射层为SiO2膜，厚度为20～60nm。本发明提供的涂层具有可见-红外光谱高吸收率，红外光谱低发射率的特点，并且由于采用双陶瓷结构的干涉吸收层，具有良好的中高温热稳定性。且该涂层制备工艺简便、操作方便、易于控制、缩短生产周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 si sub aln 陶瓷 结构 高温 太阳能 选择性 吸收 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有Si3N4和AlN双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层，其特征在于：所述的涂层从底层到表面依次为红外发射层、吸收层和减反射层；第一层红外发射层由Cu膜或者Ag膜组成，位于基体表面，厚度在50～250nm；第二层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为Si3N4和AlN膜，第一亚层和第二亚层的厚度均为50～100nm；第一亚层中Si3N4的体积百分比为20~40%，其余为AlN；第二亚层Si3N4的体积百分比为10~30%其余为AlN；第一亚层位于第一层红外发射层上，第二亚层位于第一亚层上；第三层减反射层由SiO2膜，厚度为20～60nm。
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