[发明专利]一种新型的含氟窄带隙共轭聚合物材料的制备无效
| 申请号： | 201210162497.8 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103421166A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李翠红;薄志山;杜春 | 申请（专利权）人： | 李翠红;薄志山;杜春 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的含氟窄带隙共轭聚合物材料的制备的制备方法与应用。本发明含氟窄带隙共轭聚合物，结构如式I所示。其中n为大于等于4的整数。目前，具有给受体交替结构主链的共轭聚合物是当前研究的重点，含氟有机共轭聚合物往往具有优异的热稳定性和氧化稳定性，耐腐蚀性，氟化物基底疏水疏油性以及氟化芳香环的电子密度分布翻转的性能。氟取代的共轭聚合物在有机场效应管和有机发光二级管中的应用已经有了一些研究。但是，在光伏材料的应用中，尤其是作为P型半导体，氟取代的材料还比较少见。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 窄带 共轭 聚合物 材料 制备 | ||
【主权项】：
1.一种新型的含氟窄带隙共轭聚合物材料，结构为：![]()
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