[发明专利]一种即时的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性检测方法在审
| 申请号： | 201210162915.3 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103426783A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张孟;张凌越;王慧 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种即时的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性检测方法，在晶圆上完成氧化物氮化物氧化物薄膜的生长工艺后即进行本检测方法；该方法包含：1、从晶圆加工腔中取出分别位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆；2、分别对位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆上生长的氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度进行分析；3、通过氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度的分析结果，判断氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性。本发明在晶圆上生长氧化物氮化物氧化物薄膜后，即时对控制晶圆上氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度进行分析，即时检测氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性，使氧化物氮化物氧化物薄膜可靠性的检测工艺更快捷和方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 即时 氧化物 氮化物 薄膜 可靠性 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种即时的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性检测方法，其特征在于，在晶圆上完成氧化物氮化物氧化物薄膜的生长工艺后即进行本检测方法；该检测方法包含以下步骤：步骤1、从晶圆加工腔中取出分别位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆；步骤2、分别对位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆上生长的氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度进行分析；步骤3、通过氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度的分析结果，判断氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性，若薄膜表面粗糙度小，则氧化物氮化物氧化物薄膜可靠性好，并跳转到步骤3.1，若薄膜表面粗糙度大，则氧化物氮化物氧化物薄膜可靠性差，并跳转到步骤3.2；步骤3.1、继续进行后续的晶圆加工工艺；步骤3.2、提前预警被检测的控制晶圆所在批次晶圆的硅氧化氮氧化硅闪存产品的可靠性差，对该批次晶圆上生长的氧化物氮化物氧化物薄膜进行补校。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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